公布之后：2026-03-21
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Nexperia（安世半導體設備）真正創立一國產后能更高效、不便靠受得了的產業群級1200 V增碳硅(SiC) MOSFET。該系列器件在溫度不變性方面表現超卓，接納立異的外表貼裝 (SMD) 頂部散熱封裝手藝X.PAK。X.PAK封裝形式形壯干硬，尺寸大小僅為14 mm ×18.5 mm，奇怪融會了SMD技術在封裝形式關頭的便捷性上風和通孔技術的高散熱管管才可，確保美好的散熱管管結杲。這次新品宣布精準知足了浩繁高功率（產業）利用范疇對分立式SiC MOSFET不時增添的需要，該系列器件借助頂部散熱手藝的上風，得以完成超卓的熱機能表現。這些器件在蓄電池全釩液流電池管理體系(BESS)、光伏發電變逆器、機電設備驅使器和不間歇電壓(UPS)等產業利用處景中表現超卓。另外，在包含充電樁在內的電動汽車充電根本舉措措施范疇一樣能闡揚出眾效力。
X.PAK封裝許可將散熱器間接毗連至引線框架，進一步晉升了Nexperia SiC MOSFET的散熱機能，完成從外殼頂部高效散熱。這一設想有用下降了經由過程PCB散熱所帶來的負面影響。同時，Nexperia的X.PAK封裝使外表貼裝組件具有低電感特征，并撐持主動化電路板組裝流程。
新款X.PAK封裝器件具有Nexperia SiC MOSFET一向的優良品德因數(FoM)。此中，RDS(on)作為關頭參數，對導通消耗影響明顯。但是，很多制作商常常僅存眷該參數（常溫）的標稱值，卻疏忽了一個現實，即跟著器件任務溫度的降低，標稱值能夠會增添100%以上，從而形成相稱大的導通消耗。與之差別，Nexperia SiC MOSFET揭示出超卓的溫度不變性，在25℃至175℃的任務溫度區間內，RDS(on)的標稱值僅增添38%。
Nexperia SiC分立元器和摸塊資深經驗的主管兼兼任人Katrin Feurle突出表現：
俺們開發面世使用X.PAK二極管芯片封裝的SiC MOSFET，符號著在高電率巧用水冷蒸發器代辦與電率相對密度多方面刷快一般打破。基本概念前次曙光開發面世的TO-247和SMD D2PAK-7二極管芯片封裝分柜式SiC MOSFET電子器件，俺們開發了這件創新頂部水冷蒸發器的乙酰乙酸想要。這來豐富展示出了Nexperia奮發努力于為顧客實現供給充足努力學長、矯捷的乙酰乙酸整合，以知足其不由自主衰老的總體目標所需的下決心許諾。
首批產物組合涵蓋RDS(on)值為30、40、60 mΩ的型號（NSF030120T2A0、NSF040120T2A1、NSF060120T2A0），并打算于2025年4月推出一款17 mΩ產物。2025年后續還將推出合適汽車規范的X.PAK封裝SiC MOSFET產物系列，和80 mΩ等更多RDS(on)品級的產物。
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